一款改进的低频高电源抑制比LDO电路设计

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摘要：电源抑制比PSRR是衡量LDO性能的重要参数之一。本文基于0.35μm CMOS工艺，提出了一种低频PSRR改进电路结构，利用调节型共源共栅结构，在低频时，将电源纹波等量复制至功率管栅端，使得电源纹波与功率管栅端的电压纹波比值为1，即误差放大器的PSRR为1，进而改善低频段时LDO环路的PSRR。（剩余3339字）

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