短沟道效应出现时InAlN/GaN HEMTs的内部电子分布
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摘 要：凭借二维器件仿真，从器件内部电子分布角度，直观且系统地展示了InAlN/GaN高电子迁移率晶体管直流特性上短沟道效应的发生。结果显示栅长（LG）缩短会减小栅极对栅下的电导率调控范围，同时由VDS产生的源漏电场（EDS）一定程度上会削弱栅控能力；当横纵比（LG/d，d是栅极到沟道的距离）不足时，在栅下调控较弱的位置（在缓冲层深处），EDS导致连通源、漏极的泄漏电流通路的形成；缩短LG或增大VDS都会增加该泄漏通路的导电性。（剩余8170字）