元素掺杂WS2与SnO磁电子性质的第一性原理计算研究

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摘  要：随着摩尔定律的逐渐失效，发展可替代的高速、低功耗信息技术迫在眉睫。自旋电子器件是其中最具前景的技术。本文采用第一性原理计算方法，对具有潜在自旋电子特性的二维（2D）材料（WS2与SnO单层）开展磁电子学方面的研究，系统揭示了元素掺杂对体系电子结构及磁性的作用机制。研究发现，未经掺杂的单层WS2、SnO是带隙为1.96 eV、2.81 eV的非磁性绝缘体。（剩余5201字）

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