高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片的设计

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摘  要： 为了解决当前CMOS基准电压缓冲器在驱动大电容负载电路时所面临的可靠性问题和性能瓶颈，提出一种高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片。该芯片采用CMOS缓冲放大器，结构包括折叠式共源共栅输入级、轨至轨Class AB输出级和推挽输出缓冲级。设计中加入了修调电路、Clamp电路及ESD防护电路。（剩余8023字）

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