AlGaN/GaN异质结HEMT电学特性仿真研究

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摘  要： GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）作为宽禁带功率半导体器件的代表，在电子电路的应用方面有巨大的潜力。GaN HEMT因其高击穿电压、高电子迁移率等优异性能，适用于各种高频、高功率器件，并被广泛应用于雷达和航空航天等领域。文中利用Silvaco TCAD软件，定义了AlGaN/GaN单异质结和双异质结HEMT结构，并对其转移特性、输出特性、频率特性和热特性进行了仿真研究。（剩余8880字）

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