预溅射层对铜铟镓硒薄膜择优取向调控研究

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摘 要：采用高温直接溅射Cu-In-Ga-Se四元合金靶材工艺制备光吸收层，通过对预溅射层温度和厚度的调控，研究铜铟镓硒（CIGS）预溅射层对直接溅射法制备CIGS薄膜的（220）择优取向调控机理。结果表明，预溅射层沉积温度逐渐降低时，CIGS薄膜X射线衍射（XRD）[I（220）/I（112）]比值从0.43增大到1.05，晶粒尺寸逐渐变大且均匀。（剩余11527字）

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