基于Si IGBT与SiC FET并联的新型混合器件特性解析及对比研究

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摘 要：对由SiC FET与Si IGBT并联组成的新型混合器件（HY_F）开展研究。首先，分析HY_F的基本结构与工作原理，并搭建HY_F的导通损耗模型、开通损耗模型以及关断损耗模型。其次，基于混合器件的仿真模型，分析HY_F与传统Si IGBT/SiC MOSFET混合器件（HY_M）在不同额定电流等级下损耗与成本的优劣势。（剩余16443字）

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