PERC背钝化工艺卡点位置缺陷导致EL不良研究

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摘 要：以二合一管式PECVD背钝化镀膜工艺过程中出现的石墨舟空心卡点EL发黑品质异常为研究对象，分析讨论二合一管式PECVD背钝化工艺中射频功率、工艺温度、氧化铝沉积厚度等对晶硅太阳电池空心卡点EL发黑品质异常的影响。结果表明，在二合一管式PECVD背钝化工艺时采用12～16 nm厚度的氧化铝薄膜、350～370 ℃的预淀积工艺温度，能有效解决镀膜空心卡点EL发黑品质异常，显著提升晶硅太阳电池在二合一管式PECVD的镀膜品质。（剩余8480字）

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