电子元件与材料

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2025年03期
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研究与试制

PVDF-LiNbO 3 复合固态电解质的制备及其在锂金属电池中的应用
摘 要:针对PVDF固态聚合物电解质离子电导率低和枝晶抑制能力差的问题,通过添加具有锂离子传输能力的铁电填料LiNbO 3来改善该电解质的性能。采用溶液浇铸法制备了不同LiNbO 3含量的PVDF-LiNbO 3复合固态电解质,并测试了它们...
(Sr 0.25Ca 0.75)TiO3掺杂(Zn 0.05Mg 0.95) 2(Sn 0.05Ti 0.95)O 4 微波介电陶瓷及其在带通滤波器中的应用
摘 要:采用固相法制备了(Sr 0.25Ca 0.75)TiO 3掺杂(Zn 0.05Mg 0.95) 2(Sn 0.05Ti 0.95)O 4微波介电陶瓷,通过XRD、排水法、SEM、EDS及矢量网络分析仪等手段,测量其基本物理特性和微波...
基于FDR的SiC-MOSFET栅极氧化层失效无损检测方法研究
摘 要:开发针对栅极氧化层失效的无损检测方法对于提升SiC-MOSFET的可靠性至关重要。首先基于SiC-MOSFET的实际物理模型构建出了小信号等效电路模型,并将其转化为符合T形网络求解的频域阻抗表征模型;然后利用频域反射(FDR)技术实...
具有自偏置MOS空穴抽取通路和阻塞结的IGBT
摘 要:为了降低绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的关断损耗(E OFF),以及改善导通压降(V ON)与E OFF的折衷关系,基于载流子存储IGBT(CSTBT)和阻塞结IGBT,提出了一种具有自偏置MOS空穴抽取通路和阻塞结的IGBT(AP...
基于LTCC工艺的高耦合平面变压器仿真设计
摘 要:采用低温共烧多层陶瓷(LTCC)技术,开发了一种兼具小型化、高耦合的平面变压器。针对现有LTCC平面变压器耦合效率较低的问题,本文提出了一种创新设计,即在同一平面上布置原边和副边线圈,并在线圈上添加非磁性介质层,以提高变压器的耦合系...
LTCF变压器绕组性能提升分析
摘 要:针对现有低温共烧铁氧体(LTCF)平面变压器绕组设计中存在的体积大、耦合系数低及损耗高的问题,通过优化LTCF平面变压器绕组结构中的关键变量来提升其性能。对LTCF平面变压器绕组结构进行了建模和电磁仿真分析,结果表明在多种布线方案中...
一种被动传输剩余电压的高速SAR ADC
摘 要:针对传统二步式逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的余量放大器引起的带宽和失配问题,提出了一种8 bit_450MSPs的高速SAR ADC,利用基于被动传输剩余电压的二步式SAR ADC架构。第一级模数转换器(ADC)在信号的...
可自动调节基准值的电容式触摸检测电路
摘 要:目前,电容式触摸检测电路大多依赖软硬件协同工作,其抗干扰性能高度依赖于算法,存在功耗较高、适用性较差等问题。通过将电容的比较和抗干扰完全交由硬件电路实现可以解决这一难题。硬件上通过加法器对检测到的电容值与基准值进行实时比较,并根据外...
基于电荷的GFET等效噪声电路建模
摘 要:针对GFET器件中杂质和缺陷引起的本征通道不均匀而导致传统噪声模型拟合度较差的问题,提出了一种基于电荷的石墨烯场效应晶体管(Graphene Field Effect Transistors,GFET)等效噪声电路模型。首先考虑了G...
一种降低开关电源EMI的混合扩频电路
摘 要:针对传统周期扩频调制易产生人耳可闻噪声以及随机扩频调制频率阶跃变化大的问题,设计了一种用于开关电源的混合扩频电路。该电路产生的调制信号,结合周期三角波调制和随机调制的频率特性,减小了开关频率的阶跃变化并增强了随机性。在提升电磁干扰(...
透明车载多频天线的研究与设计
摘 要:为提升车载通信天线的美观度和集成度,设计了一种采用金属网格材料的透明车载多频天线,使天线能够巧妙地融入汽车玻璃等透明表面。该天线通过不对称共面波导进行馈电,同时通过对单极子天线进行弯曲、开槽等技术实现天线的多频宽带,天线整体尺寸为1...
一种X波段一维宽带镜像对称相控阵天线设计
摘 要:设计了一种适用于X波段可实现一维大角度波束扫描的宽带微带相控阵天线。该一维相控阵天线由镜像对称的矩形微带天线阵列以及相对应的馈电网络组成。设计采用在微带贴片天线单元表面开设多个U型槽,从而增加谐振点并改善阻抗匹配的方法,实现拓宽微带...
负磁超材料增强的柔性高增益能量收集天线
摘 要:为了实现无源物联网应用中小型化、柔性、高增益电磁能量收集天线,设计了一种负磁导率超材料结构,研究负磁导率超材料与天线组合提升增益的有效方法。首先在单极子天线嵌入开口谐振环结构形成共面波导天线,然后在背面加载负磁导率超材料结构作为寄生...
新型抑制剂AMT对Cu/Ru/TEOS去除速率选择性的影响
摘 要:Ru阻挡层化学机械抛光主要面临着Ru去除速率较低和难以实现较好的Cu/Ru/TEOS去除速率选择比两项问题。为了解决上述问题,基于KIO 4-K 2S 2O 8双氧化剂体系,通过引入新型抑制剂AMT进一步提升Ru去除速率及表面质量,...
回流峰值温度对Sn-40Bi-1Ag-0.5Cu无铅焊膏性能的影响
摘 要:为提高Sn-Bi系焊膏焊点长期服役的可靠性,选用Sn-40Bi-1Ag-0.5Cu低温无铅焊膏,探究回流温度对焊膏坍塌性、显微组织和剪切强度的影响。结果表明:在回流焊工艺中,当保温区间为100~110 ℃,保温时间为110 s时,回...

综述与评论

微电子封装领域中纳米银的研究进展
摘 要:纳米银具有优异的异质界面导电性、高比表面积、高透光性以及高导热性等性质,对下一代微电子封装领域中引线键合、触头触点等关键应用场景中的器件性能提高具有重要的应用价值。重点聚焦了纳米银的结构与性能优势,系统综述了其制备技术发展动态与应用...
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