基于电荷的GFET等效噪声电路建模

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摘 要：针对GFET器件中杂质和缺陷引起的本征通道不均匀而导致传统噪声模型拟合度较差的问题，提出了一种基于电荷的石墨烯场效应晶体管（Graphene Field Effect Transistors，GFET）等效噪声电路模型。首先考虑了GFET器件非互易性的影响，通过在小信号等效电路中引入电荷受控源来模拟器件在相关偏置条件下本征通道电荷传输特性，并从S参数中提取小信号模型参数，建立基于电荷的小信号等效电路模型。（剩余13656字）

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