基于FDR的SiC-MOSFET栅极氧化层失效无损检测方法研究

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关键词：SiC-MOSFET；栅极氧化层失效；无损检测；FDR技术；寄生电容

中图分类号：TN386.1

文献标识码：A

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2025.1468

引用格式：张俊杰， 贠明辉， 谭亮， 等. 基于FDR的SiC-MOSFET栅极氧化层失效无损检测（剩余13115字）

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