基于FDR的SiC-MOSFET栅极氧化层失效无损检测方法研究

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关键词:SiC-MOSFET;栅极氧化层失效;无损检测;FDR技术;寄生电容

中图分类号:TN386.1

文献标识码:A

DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2025.1468

引用格式:张俊杰, 贠明辉, 谭亮, 等. 基于FDR的SiC-MOSFET栅极氧化层失效无损检测(剩余13115字)

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