基于金属氧化物载流子选择性传输层的硅异质结太阳电池的研究进展

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摘 要：晶硅异质结（HJT）太阳电池的转换效率已达到26.81%，然而其使用有毒有害气体掺杂的传输层存在不可避免的寄生吸收损失，阻止了器件性能的进一步提升。因此，宽带隙非掺杂的钝化接触太阳电池受到极大关注。该文对载流子选择性传输原理、非掺杂钝化接触材料及其主要沉积方法、非掺杂空穴/电子选择性材料的研究现状及器件稳定性改善方式进行概述，并对钝化接触型非掺杂晶硅异质结太阳电池存在的问题和前景进行讨论。（剩余16603字）

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