衬底温度对热丝CVD法沉积氧化钨的影响研究

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摘 要：通过热丝化学气相沉积法制备氧化钨（WOx）薄膜，并将其应用于无掺杂异质结太阳电池。研究表明，衬底温度在沉积过程中起着重要作用，衬底温度从室温升高到200 ℃，WOx薄膜的表面颗粒尺寸减小，薄膜更加致密；功函数先升高再迅速下降；透过率在150 ℃以内无明显变化，继续升高温度后迅速降低。通过取代p型非晶硅层，将其应用于无掺杂硅异质结太阳电池中作为空穴选择接触层。（剩余15291字）

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