大尺寸光伏单晶硅制备技术研究进展

打开文本图片集

摘 要：针对现有大尺寸光伏级单晶硅多次装料拉晶技术（RCZ）、炉外加料技术（OCZ）、连续装料拉晶技术（CCZ）等制备技术的研究现状及特点进行归纳总结，对比分析几种光伏单晶硅制备技术在大尺寸、高品质、低成本方面的优势和难点，并结合未来硅料来源分析对光伏单晶硅生长技术的发展做出展望。

关键词：单晶硅；硅片；坩埚；太阳电池；直拉法

中图分类号：TN304.12                    文献标志码：A

0 引 言

Czochralsk法，简称CZ法，又称直拉法，源自Czochralsk在1918年建立的一种晶体生长方法［1］，它的出现使熔体中生长晶体成为可能。（剩余22096字）