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摘 要：文章基于GaAs pHEMT晶圆工艺现状，根据不同材料特性，从芯片设计、晶圆制程控制、封装材料选择三个维度进行了研究，报告了针对类似材料组合相对复杂的化合物半导体工艺器件在高加速温湿度应力（HAST）能力方面所面临的现状。同时，通过典型案例分析，说明了此类化合物器件在耐湿热能力设计及制程控制上需要注意的关键点，用于类似芯片设计或工艺开发工作进行参考。（剩余6584字）
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化合物器件高加速温湿度应力（HAST）能力现状研究
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