超宽带高功率高增益放大器芯片设计

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摘  要：介绍了一种基于HEMT工艺的高增益、高功率宽带单片微波集成电路功率放大器芯片。该芯片采用六个三堆叠式晶体管管胞构成非均匀分布式放大器结构，可获得高增益和高功率输出能力。在0.1～20 GHz超宽带频率范围内，该芯片增益为19±1.5 dB，功率输出能力为38 dBm，尺寸为2×3.1 mm2。（剩余6168字）

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