高电子迁移率晶体管的研究进展

  • 打印
  • 收藏
收藏成功
微博 QQ空间 微信


打开文本图片集

摘  要：高电子迁移率晶体管（HEMT）作为半导体功率器件，能够应用在高温、高压和高频等环境。到目前为止，第二代半导体材料GaAs、InP基HEMTs体系的发展已相当成熟，随着第三代半导体GaN基HEMT体系的数据及理论不断完善，其在相关领域的应用正逐渐占据市场的主导地位，而随着对超宽禁带半导体Ga2O3理论的完善及无铱工艺的出现，Ga2O3基HEMT器件在电力电子、射频微波等领域展现出巨大的发展潜力。（剩余12684字）

试读结束

目录
monitor