Ag掺杂In2O3薄膜的制备及其光电性能

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摘要： 为研究Ag的掺杂浓度对氧化铟薄膜禁带宽度、 光开关比及光探测率等光电性能的影响， 采用磁控溅射方法在石英（SiO2）衬底上制备不同浓度的Ag掺杂氧化铟（In2O3∶Ag）薄膜， 并利用X射线衍射、 X射线光电子能谱、 扫描电子显微镜、 紫外-可见分光光度计分析In2O3∶Ag薄膜的晶体结构、（剩余12555字）

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