管式PECVD制备原位掺杂多晶硅的性能研究
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摘 要：报道了管式等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的各项沉积参数对硅太阳电池重掺杂多晶硅钝化接触（SiOx/Poly-Si（n+））的影响。TOPCon太阳电池的掺杂多晶硅是通过对沉积的非晶硅高温晶化来实现的，通过改变PECVD的沉积温度、Ar和PH3的流量、沉积功率等沉积参数，可获得不同厚度、结晶度和掺杂浓度的掺杂非晶硅（a-Si（n+））薄膜，然后通过高温退火得到不同的Poly-Si（n+）薄膜，从而导致SiOx/Poly-Si（n+）钝化接触在钝化质量和载流子选择性等方面的不同特性。（剩余11348字）