32 nm工艺下基于输入分离C单元的三节点翻转容忍锁存器设计

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摘  要：随着集成电路特征尺寸的不断缩减，存储电路中单粒子效应造成的多节点翻转的概率越来越大，严重影响了电路的可靠性。因此，为了增加存储电路的抗辐射加固能力和可靠性，提出一种三节点翻转加固锁存器TNUTL。该锁存器使用双模冗余和输入分离C单元实现100%三节点翻转容忍能力。钟控技术和传输门的使用有效降低了锁存器的功耗和延迟。（剩余7742字）

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