时滞反馈控制下忆阻振荡耦合电路稳定性研究

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摘  要：忆阻器具有记忆、非线性特性，将其接入振荡电路便于计算振荡电路中的物理量，但同时也会导致电路的状态量发生改变。为此，文章以接入磁控忆阻器的振荡电路为例，建立三阶忆阻振荡耦合电路模型，设计电流反馈控制器，并对耦合电路添加控制约束。通过求解时滞控制下的电路状态方程，确定电路达到稳定状态的条件，完成稳定性分析。（剩余6062字）

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