具有高K背栅的无电压回跳RC⁃IGBT静态特性研究

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摘  要： 针对传统RC⁃IGBT导通压降大、击穿电压低等问题，提出一种具有高介电常数（高K）背栅的RC⁃IGBT器件结构，其特点是位于底部集电极的背栅介质采用高介电常数材料。高K介质增大了正向导通时背栅周围的空穴浓度，不仅消除了电压回跳，还降低了导通压降。仿真结果表明：在高正向导通电流密度下（ICE=925 A/cm2），高K背栅RC⁃IGBT的导通压降为1.71 V，相比传统RC⁃IGBT降低了19.34%，相比氧化层背栅RC⁃IGBT降低了13.20%；另一方面，在阻断状态下，高K介质增强了背栅周围的电子积累，增大了击穿电压。（剩余9423字）