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摘 要:二维(2D)半导体薄膜材料作为当代光电子器件领域的主力军,大面积薄膜材料的制备则成为亟待解决的热点问题。文章通过一种硫(S)化预生长的氧化钼(MoO3)的方法实现大面积二硫化钼(MoS2)薄膜材料的制备。区别于传统化学气相沉积(CVD)方法生长材料随机成核的特性,文章设计利用提前在衬底上预生长MoO3作为Mo源,以固定MoS2薄膜的成核位点。(剩余6816字)
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大面积MoS2薄膜制备及其光电性能研究
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