气隙缺陷对GIS盆式绝缘子电场分布特性的影响分析

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摘  要：盆式绝缘子处的气隙缺陷是导致GIS设备局部放电，进而诱发故障的主要因素之一。为探究其对绝缘子内部电场分布的影响规律，文章利用COMSOL软件分别仿真研究无缺陷和气隙缺陷下220kV电压等级GIS设备盆式绝缘子内部的电场强度分布特性。仿真研究结果表明：无缺陷下GIS盆式绝缘子表面电势和电场无畸变，呈现圆滑过渡状，绝缘子表面最大场强3.7kV/mm远小于SF6气体击穿场强10kV/mm，即工况下GIS盆式绝缘子不发生局部放电;而气隙缺陷下GIS盆式绝缘子表面最大场强在气隙缺陷处，气隙缺陷处最大场强为10.6kV/mm，远大于空气体击穿场强3kV/mm。（剩余3999字）