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摘要:针对薄膜应力的控制中,文章分别分析了应力与射频功率和反应压强的关系。为了提高制备SiO2膜的致密度和沉积速率,课题组讨论了通过调整射频功率、温度、压强、对二氧化硅薄膜致密度和沉积速率的影响。为使SiO2水汽阻隔更佳,也讨论了SiO2表面改性的方案。为提高二氧化硅膜的抗水汽入侵能力、提高表面疏水性可以对表面二氧化硅层进行改性,引入疏水性有机基团,以降低表面自由能。(剩余5183字)
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SiO 2 水汽阻挡能力提升研究
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