基于焊层裂纹扩展的IGBT性能退化建模与分析

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摘 要：

在疲劳载荷作用下，绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor， IGBT）会发生结构损伤与性能退化，影响电力电子系统可靠性。对此，首先基于传热学理论推导焊层疲劳裂纹长度与热阻的关系，并以Darveaux模型表征IGBT焊层裂纹演化规律，提出一种IGBT性能退化模型及其待定系数的估计方法。（剩余13193字）

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