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摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法对H,F,Al,K,Zn掺杂二维MgCl2单层材料的几何结构和电子性质进行研究. 结果表明: 几种掺杂体系的晶体结构均有不同程度变化; 由于H,Al,Zn的s态电子影响, 这3种元素掺杂的MgCl2在禁带中明显出现杂质能级, F和K掺杂体系的杂质(剩余10890字)
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几种元素掺杂二维MgCl2单层的第一性原理计算
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