SiC硬脆材料纳米切削的亚表层损伤与塑性去除机理探析
打开文本图片集
中图分类号：TH114.1DOI：10.3969/j.issn.1004-132X.2025.10.019
0 引言
SiC具有大禁带宽度[1]、高热导率[2-4]、高击穿电场强度[5-7]、高力学性能[8]、低介电常数[9]等优异性能，被广泛应用于航空航天、生物医疗、集成电路、类脑芯片等领域。目前，超精密切削加工半导体SiC器件的超光滑表面完整性方法主要包括超精密磨削、抛光以及单点金刚石车削等[10-14]。（剩余11550字）
