4英寸GaN衬底MOCVD外延高质量AlGaN/GaN HEMT材料研究分析

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关键词：GaN衬底，AlGaN/GaN HEMT

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GaN作为第三代宽禁带半导体，其带隙宽度较大，热导率高、电子饱和速度高、击穿场强大、热稳定性好，是制备高温、高频、高压及大功率器件的优选材料。面向微波应用的AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）方兴未艾[1-3]。目前，GaN材料主要通过在SiC、Si和蓝宝石等异质衬底上外延获得，受限于异质衬底与外延层之间晶格常数与热膨胀系数的较大差异，GaN外延材料位错密度高达108～1010 cm-2，影响器件性能和使用寿命。（剩余2892字）