基于GaN HEMT的S波段小型化内匹配功率管设计

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摘  要：采用总栅宽36 mm的0.5 um工艺GaN HEMT功率管芯，通过合理选择目标阻抗、优化匹配网络，设计了一款包含扼流电路的S波段小型化内匹配功率管。在+48 V、-3.1 V工作电压下，2.7～3.4 GHz内，功率管输出功率≥250 W，功率增益≥12 dB，功率附加效率≥60%，尺寸仅为15 mm×6.6 mm×1.5 mm，重量仅为0.6 g，显示出卓越的性能，具有广泛的工程应用前景。（剩余4914字）

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