Pt薄膜衬底H堆叠 WS2/WSe2 层间激子的谷极化研究
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关键词：H堆叠 WS2/WSe2 ；层间激子；光致发光光谱；谷极化中图分类号： O472+.3 （2 文献标志码：A 文章编号：0253-2395（2025）04-0759-08
Abstract：Two-dimensionaltransitionmetaldichalcogenides（TMDCs）canformperiodicmoirésuperlatice，offeringaninvaluable platformfortheinvestigatioofelectroncorelationstatesndnovelexitonstates.MoiréiterlaerexcitosiMDCshterostruc tures with type-Ibandaignmentexhibitspin-vallyegreesoffreedomtataremanipulatednotonlybyelectrostaticfeld，ain， andsubstrateutalsobythemodulationofmoirépotential，fciliatingthexploratinofghlynablevalleytronicdvice.Itis paper，a H-stacked （ 60∘ twisted） tungsten disulfide/tungsten diselenide （ WS2/WSe2 ）heterostructure was prepared on platinum （Pt） thin film substrate and silicon dioxide （ SiO2⋅ substrate，separately.By performing photoluminescence （PL） spectroscopy， photoluminescenceexcitation（PLE）spectroscopyandvleypolarzationmeasurementsonbothsubstratesatlowtemperatures，itwasobservedthat，intheabsenceofsignificantchargedoping，theinterlayerexcitonsare morelocalizedonthePtsubstrate.Additionaly thevaleypolarationismoreeasilysaturatedwithinreasingexcitonconcentrationonPtsubstrate.Ptinfis，ervingdualroles asmetalcontactsandartiallyintroduceddefects，esontoimpacttevalleypoarzatiooftheiterlayrexciosOurork provides insights for optoelectronics applications based onMoiré interlayer excitons. Key words： H-stacked WS2/WSe2 interlayer excitons; photoluminescence spectroscopy; valley polarization
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对以单层二硫化钨（ WS2 ），二硒化钨（ WSe2 ）为代表的不同种过渡金属硫族化合物（TMDCs）进行晶格对齐的堆叠操作，由于晶格常数的失配，可以形成转角双层的莫尔超晶格结构[1-2]。（剩余15281字）
