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DOI：10.19912/j.0254-0096.tynxb.2021-1124 文章编号：0254-0096（2023）02-0445-08
摘 要：在研究SiC MOSFET的阈值电压、体二极管电压、漏-源极通态电阻温度依赖性的基础上，分析偏压温度不稳定性（BTI）引起的[VTH]的漂移规律，并探究其对温敏电参数（TSEPs）的影响规律。（剩余15465字）
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计及热电耦合效应的SiC MOSFET阈值电压精确监测方法
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