p型MgZnOS透明导电薄膜及其p-n结型自驱动紫外光电探测器研究

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摘要：针对纯 Z n O 半导体的 p 型掺杂难题，提出采用阴 阳 离子复合取代、协同调控 Z n O 合金电子能带结构基础上，进行N受主掺杂的新思路，并采用脉冲激光沉积法成功制备了N掺杂p型透明导电 薄膜。通过X射线衍射、透射光谱、霍尔效应、X射线光电子能谱和二次离子质谱测试分析了薄膜的晶体结构、光电学性质及化学组分。（剩余19410字）

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