碳化硅功率器件纳米银烧结工艺研究

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中图分类号：TN305文献标志码：A

以第三代宽禁带半导体材料碳化硅（SiC）为基础的功率器件和功率模块是高温大功率电子系统的核心器件，其超宽禁带宽度为 3.3eV ，其最高工作温度为 500∘C ，热导率为490W/（ m⋅K ），优势显著[1]。但是，SiC器件高频、高温工况下面临严峻挑战，传统封装技术存在封装互连层热机械可靠性问题。（剩余4330字）

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