0.8～18 GHz放大衰减多功能芯片

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摘  要：文章介绍了基于GaAs 0.15 μm pHEMT工艺的0.8～18 GHz放大衰减多功能芯片的设计，给出了在片测试结果。该芯片集成了共源共栅行波放大单元、三位数控衰减单元和三位并行驱动单元，在0.8～18 GHz的超宽带频率范围内，噪声系数典型值≤4.5 dB，增益≥11 dB，且具有3 dB的正斜率，P-1大于13 dBm，输入输出驻波≤1.8，3 bit数控衰减单元2/4/8 dB，衰减精度≤0.5 dB。（剩余6256字）

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