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摘 要:硅基微显示(Micro-OLED)工艺中,在进行驱动线路制备时,需进行化学机械研磨(CMP)处理,保证金属互联层的稳定性及均一性。不同材料对CMP工艺的耐受性存在差别,切割道或净空区通常为介电材料层(SiO、SiNx等绝缘层),较金属膜层区域更易受CMP磨损,经过多次CMP制程后段差累积加深。(剩余7138字)
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Micro-OLED显示斜纹Mura的研究及改善
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