基于串扰电压峰值的IGBT模块键合线老化监测方法

打开文本图片集

中图分类号：TM464 文献标志码：A

0 引言

随着光伏发电技术的发展，并网逆变器在配电网中的应用越发广泛[1]。并网逆变器作为新能源发电系统与公共电网的关键接口，其稳定性尤为重要[2]。功率器件绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistors，IGBT）和碳化硅金属-氧化物-半导体场效应管（siliconcarbidemetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，SiCMOSFET）作为并网逆变器的核心组成[3]，其可靠性和安全性对整个系统的稳定运行具有重大意义。（剩余10561字）