晶体硅太阳电池的BaF电子选择性接触研究

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中图分类号：TM615 文献标志码：A

DOI：0.992/j.0254-0096.tynxb.2024-0284

摘要：研究一种利用电子束蒸发方法制备的超薄氟化钡（BaF）薄膜的材料特性，并将其应用为晶体硅异质结电池的新颖的、输运电子而阻挡空穴的免掺杂选择性接触传输材料。紫外光电子能谱测试表明BaF/AI界面的功函数为 2.55eV ，低于铝本身的功函数 （4.26eV ），可实现对电子的选择性传输功能。（剩余13010字）

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