p型TOPCon晶体硅太阳电池局域硼重掺杂发射极的光电性能研究

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中图分类号：TM914.4+1；TK514 文献标志码：A

0 引言

在全球气候变暖及化石能源日益枯竭的大背景下，大力发展可再生能源已成为世界各国的共识，其中太阳能是所有可再生能源增长中最快的能源之一。隧穿氧化层钝化接触电池（tunnel oxide passivating contact，TOPCon 或 poly-crystallineSionoxide，POLO）采用极薄二氧化硅 SiO2 ，1＼～2nm ）和重掺杂硅薄膜（poly-Si）的叠层膜作为钝化接触，具有极好钝化性能 （J0，1～2fA/cm2） 和低接触电阻 （ρc，<1mΩ ：cm2）[1-6] 。（剩余12124字）