一种低耦合电容的高压SiC MOSFET驱动隔离电源设计

打开文本图片集

摘 要：高压SiC MOSFET更快的电压变化率[dv/dt]，导致其驱动遭受更严重的共模干扰，而现有高隔离电压驱动电源大多又存在耦合电容高、共模瞬态抗扰度（CMTI）能力弱、转换效率低等问题，因此该文设计一种兼具高隔离电压、高转换效率的低耦合电容驱动隔离电源。首先，基于有源钳位反激变换器，提出一种驱动隔离电源耦合电容等效简化解析模型，并通过仿真、实验验证解析模型可行性；其次，基于该模型分析耦合电容影响因素及其优化方法，为低耦合电容的驱动电源设计提供参考；最后，通过实验评估所提低耦合电容高压SiC MOSFET驱动隔离电源性能。（剩余15983字）