基于金刚线切片的钙钛矿/硅叠层太阳电池

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摘 要：提出一种免空穴传输层的策略，将自组装单分子层材料作为钙钛矿活性层的添加剂，通过一步旋涂法直接将钙钛矿薄膜制备在导电基底表面，其中薄膜的质量与均一性都得到改善。进一步地，将该方法应用在低成本的商用金刚线切片上，可在高粗糙度的硅表面制备出覆盖度高、形貌致密、无空洞的钙钛矿薄膜。在光电性能方面，用该方法得到的单结钙钛矿太阳电池的光电转换效率为21%，填充因子高达83%，两端钙钛矿/硅叠层太阳电池的光电转换效率为28%。（剩余13811字）

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