注册帐号丨忘记密码？
1.点击网站首页右上角的“充值”按钮可以为您的帐号充值
2.可选择不同档位的充值金额，充值后按篇按本计费
3.充值成功后即可购买网站上的任意文章或杂志的电子版
4.购买后文章、杂志可在个人中心的订阅/零买找到
5.登陆后可阅读免费专区的精彩内容
打开文本图片集
摘 要：为优化二极管抗浪涌电流能力及正向特性，针对器件工艺参数对迅回效应的影响进行了研究。采用建模仿真对比不同参数下的器件正向特性，分别对Ｐ＋区和漂移区的掺杂浓度以及Ｐ＋区宽度３个方面进行讨论。提取在迅回效应过程中器件的正向偏置处于转折与折回电压时漂移区内空穴的分布，进而细化研究该效应的产生过程机理。（剩余8163字）
登录龙源期刊网
购买文章
４Ｈ-ＳｉＣ基ＭＰＳ二极管迅回效应分析
文章价格：5.00元
当前余额：100.00
阅读
您目前是文章会员，阅读数共：0篇
剩余阅读数：0篇
阅读有效期：0001-1-1 0:00:00
