基于ADuM4146的SiCMOSFET驱动器研制

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近年来，伴随第三代半导体的蓬勃发展，具有宽禁带、高掺杂浓度优势的SiC器件，凭借高开关频率、耐高压以及耐高温等优点得到广泛应用。然而，SiC器件与硅基器件在寄生参数方面存在较大差异，亟需与之对应的驱动器设计方法。一方面，SiCMOSFET具有更高的开关频率，该特性使得其在开关过程中的能量损耗大幅降低，从而有效提升了整个电力电子装置的功率密度和效率。（剩余8229字）

试读结束

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