基于电流域量化的 CMOS 温度传感器设计

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摘 要：为满足先进工艺下片上系统对低压供电、高分辨率及小面积温度传感器的需求，提出了一种基于电流域量化的CMOS温度传感器。采用比例电压跟随技术突破了BJT基极-射极高压特性限制，兼容108～165 V宽范围供电；通过开环数字校准技术将带隙核运放失调电压降至37066 μV，提升感温电流精度；创新了电流镜阵列式分辨率调节模块，在不改变ADC有效位数的前提下，将分辨率从02 ℃提升至014 ℃。（剩余16762字）

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