一款0.1GHz~3.0GHz线性功率放大器芯片设计

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中图分类号：TN492 文献标志码：A

GaAsE-PHEMT器件具有单电源、线性高、增益高和噪声低等特征，可以广泛应用于无线通信领域。基于GaAsE-PHEMT器件制作的功率放大器比较少，因此限制了E-PHEMT器件在正压下工作，与前向导通电压较近，当激励信号较大时，栅极电压摆幅容易超过前向导通电压，因此限制了输出功率[1]。（剩余5870字）

试读结束

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