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摘 要：对基于二维材料的垂直阵列忆阻器进行了研究。面对二维材料生长窗口狭窄，难以制备大面积单晶等挑战，通过可控电化学沉积沉积了大面积WS3薄膜。基于WS3薄膜制备了垂直阵列结构忆阻器件。对2×2的4个忆阻器单元进行I-V特性扫描，均展现出了双极性忆阻特性。开关寿命达1.5×104次，对于仿神经训练脉冲信号有着明显的响应。（剩余7082字）
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电化学沉积WS3薄膜及其忆阻特性研究
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