一种车用逆变器SiC MOSFET结温估计的Simulink建模方法

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【摘  要】目前，电动汽车高压平台已成为趋势，电机控制器功率器件由IGBT向SiC MOSFET转换，而针对SiC MOSFET结温的相关研究，很多学者曾提供了具体的理论公式，但是复杂的理论计算公式并不能很好地运用在实际开发过程中。文章基于以上现状，选择合适的SiC MOSFET热阻网络模型，将三阶RC网络通过基尔霍夫第一定律转化为时域的离散方程，进而建立Simulink模型，通过仿真及台架测试，测试结果显示能够满足预期目标。（剩余8710字）

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