功率循环下GaN器件栅极可靠性研究

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摘  要： 氮化镓（GaN）功率器件长期在高功率密度工况下运行，其栅极可靠性一直是关注的重点，栅极的退化会造成器件误导通以及导通损耗增加等问题。为此，设计一个直流功率循环装置，通过功率循环的方式加速器件老化。同时为了评估栅极可靠性，采用与栅极紧密相关的阈值电压（VTH）以及栅极电容（CGS）作为特征参量，设计VTH与CGS监测电路。（剩余8721字）

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