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摘 要： 为了降低温漂效应对放大器的影响，通过理论分析，设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率，电路采用两级差分共射⁃共基极（cascode）结构，输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦，同时基于0.18 μm SiGe BiCMOS高性能异质结双极晶体管工艺进行设计。（剩余8664字）
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一款基于SiGe工艺的宽带射频驱动放大器
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