非分段GaN HEMT EF2类功率放大器理论研究

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摘  要： 目前，增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的仿真模型存在仿真时间长、复杂度高且收敛性不好等问题。为了解决GaN HEMT器件在电力电子电路中仿真收敛性和准确性差的问题，提出一种非分段的GaN HEMT SPICE模型。使用非分段连续方程对GaN HEMT器件的静态和动态特性进行建模；再对GaN HEMT的输出特性进行仿真，并与Si MOSFET的仿真结果进行对比。（剩余9593字）

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